Abstract. Il silicio (Si) e il semiconduttore standard. Banda gap 1,12 eV (indiretta), alta mobilita elettronica, regime intermedio fra Au e SiO_2 per la latenza locale TTO. Predizione: firma ciclica intermedia, dell'ordine di 10^-6 in Delta R/R.
Caratteristiche del campione
- Wafer Si(100) o Si(111), purezza electronic-grade.
- Spessore: superficie attiva (~ 10 nm di penetrazione del pump).
- Drogaggio: intrinseco o leggermente n/p (10^14 - 10^15 cm^-3).
- Trattamento superficie: ossido nativo rimosso con HF se necessario.
Predizione TTO
Magnitudine della firma TTO attesa: ~ 10^-6 in Delta R / R. Frequenze caratteristiche: ancora nell'intervallo THz, ma con peso spettrale diverso da Au per via della struttura a bande.
Significato fisico nel quadro TTO
Il Si in regime non-equilibrio dopo il pump ha una distribuzione di portatori di carica intermedia fra plasma metallico e isolante puro. Il fattore di latenza locale L e quindi intermedio. La firma TTO dovrebbe essere meno intensa che in Au ma ancora rilevabile con sensibilita 10^-6.
Discriminazione
Confronto Au/Si/SiO_2 da' tre punti su una "curva di latenza" predetta dalla TTO. Il fit globale dei tre punti e piu discriminante di un singolo campione.